$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણ ત્રણ અલગ-અલગ ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક સેલ $1$, $2$ અને $3$ પર આપાત થાય છે. આ ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક સેલની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_1$, $\lambda_2$ અને $\lambda_3$ છે અને આ સેલના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના મૂલ્યો અનુક્રમે $V_1$, $V_2$ અને $V_3$ છે. $\lambda$ અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ વચ્ચેનો સંબંધ $\lambda_1 < \lambda$, $\lambda_2 > \lambda$ અને $\lambda_3 >> \lambda$ છે. સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:

એક ધાતુની સપાટી પર ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં બમણી અને ત્રણ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન આપાત થાય છે. તો,બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$eV_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ લખો.

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?