$4 \times 10^{14} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2.14 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે ($\,eV$ માં)? $\left[h=6.63 \times 10^{-34} \,J-s\right]$

જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $2500 \ \mathring A$ અને $5000 \ \mathring A$ હોય અને ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો અંદાજીત ગુણોત્તર શોધો. ($:1$ માં)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $v_{\text{max}}$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેનો આલેખ નીચેનામાંથી કયા દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવ્યો છે?

નીચેની આકૃતિમાં,જો $V_2 > V_1$ હોય,તો:

આલેખ ત્રણ પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુઓ $X_1, X_2$ અને $X_3$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_o$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. આપાત વિકિરણની સમાન તરંગલંબાઈ માટે, કઈ ધાતુ વધુ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરશે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?