આલેખ ત્રણ પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુઓ $X_1, X_2$ અને $X_3$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_o$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. આપાત વિકિરણની સમાન તરંગલંબાઈ માટે, કઈ ધાતુ વધુ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરશે?

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

$600 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સંપર્કમાં રહેલી એક ધાતુને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે $400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $eV$ માં શોધો.

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે $K$ મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

$W_{0}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર જ્યારે '$E$' ઊર્જાના ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે તે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન લંબ દિશામાં સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર '$B$' માં પ્રવેશ કરે છે અને '$r$' ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગ પર ગતિ કરે છે. તો '$r$' બરાબર શું થાય? (જ્યાં '$m$' અને '$e$' અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને વિદ્યુતભાર છે).