જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે $K$ મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

એલ્યુમિનિયમની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનને દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા $4.2 \text{ eV}$ છે. જો $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય,તો સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V/3$ છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? (જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m =$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ)

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.