વિદ્યુતચુંબકીય તરંગો અને ઇલેક્ટ્રોનની કણ પ્રકૃતિ અને તરંગ પ્રકૃતિ નીચેનામાંથી કોના દ્વારા દર્શાવી શકાય છે?

પ્રકાશની કઈ ઘટનાઓ પ્રકાશના કણવાદ અને તરંગવાદના આધારે સમજાવી શકાય છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: માઇક્રોવેવ્સ,ઇન્ફ્રારેડ કિરણો અને અલ્ટ્રાવાયોલેટ કિરણોમાંથી,ધાતુની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન માટે અલ્ટ્રાવાયોલેટ કિરણો સૌથી વધુ અસરકારક છે.
વિધાન $II$: થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિથી ઉપર,ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા એ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

યાદી-$I$ ને યાદી-$II$ સાથે જોડો:

યાદી-$I$	યાદી-$II$
$A$. $E = hv$	$I$. ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ
$B$. વિવર્તન અને વ્યતિકરણ	$II$. પ્રકાશની કણ પ્રકૃતિ
$C$. $\lambda = h/p$	$III$. પ્રકાશની તરંગ પ્રકૃતિ
$D$. કોમ્પ્ટન અસર	$IV$. ફોટોનની ઉર્જા

નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

જ્યારે પ્રકાશના એકવર્ણી બિંદુવત ઉદગમને ફોટોસેલથી $0.1\, m$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ અનુક્રમે $0.8\, V$ અને $24\, mA$ છે. જો તે જ ઉદગમને ફોટોસેલથી $0.2\, m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ કેટલા હશે?

$P$ પાવર ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત જે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો એકવર્ણી પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે,તેને $\phi$ વર્ક ફંક્શન અને $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીથી $r$ અંતરે રાખવામાં આવે છે,તો નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ ખોટો છે?