નીપજ શું છે:

ઉપરની પ્રક્રિયામાં મળતી મુખ્ય નીપજ $A$ કઈ છે?

ઉપરની પ્રક્રિયામાં,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ માત્ર મેટા સ્થાન પર જ વિસ્થાપિત થાય છે,તેનું કારણ છે:
$I$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર વધુ છે
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર પ્રમાણમાં ઓછી છે
$III$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર ઓછી છે
$IV$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર પ્રમાણમાં વધુ છે
સાચો જવાબ છે:

નીચે આપેલી પ્રક્રિયામાં,મુખ્ય નીપજ $P$ માં $sp^2$ સંકરણ ધરાવતા પરમાણુઓની કુલ સંખ્યા કેટલી છે. . . . .

સહસંયોજક બંધનું વિખંડન (fission) એટલે શું?

આ પ્રક્રિયા $B^{-} + R - A \to B - R + A^{-}$ નીચેનામાંથી કયા પ્રકારની છે?