$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

જો અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને હોલની સંખ્યા ઘનતાનો ગુણોત્તર $7/5$ હોય અને તેમના પ્રવાહોનો ગુણોત્તર $7/4$ હોય,તો તેમના ડ્રિફ્ટ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનો વિચાર કરો જેમાં $n_e$ અને $n_h$ અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા છે.
$(A)$ હોલ એ લઘુમતી વાહકો છે.
$(B)$ ડોપન્ટ એ પેન્ટાવેલેન્ટ પરમાણુ છે.
$(C)$ $n_e n_h \neq n_i^2$ (જ્યાં $n_i$ એ સેમિકન્ડક્ટર જ્યારે તે આંતરિક સ્વરૂપમાં હોય ત્યારે ઇલેક્ટ્રોન અથવા હોલની સંખ્યા છે).
$(D)$ $n_e n_h \geq n_i^2$.
$(E)$ હોલ ડોનરને કારણે ઉત્પન્ન થતા નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સ (વીજભાર વાહકો) કયા છે?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા