નીચેની પ્રક્રિયાઓમાં સ્થિતિઊર્જા / એન્થાલ્પી ફેરફારને આલેખ દ્વારા દર્શાવો.
$(a)$ પથ્થરને જમીન પરથી છાપરા પર ફેંકવો.
$(b)$ $\frac{1}{2} H_{2(g)} + \frac{1}{2} Cl_{2(g)} \rightarrow HCl_{(g)}$
કઈ પ્રક્રિયામાં સ્થિતિઊર્જા/એન્થાલ્પી ફેરફાર સ્વયંભૂતા માટે જવાબદાર પરિબળ છે?

(B) સ્થિતિઊર્જા/એન્થાલ્પી ફેરફારનું આલેખકીય નિરૂપણ નીચે મુજબ છે:
$(a)$ પથ્થરને જમીન પરથી છાપરા પર ફેંકવા માટે,પથ્થરની સ્થિતિઊર્જા વધે છે કારણ કે તે ગુરુત્વાકર્ષણ ક્ષેત્રની વિરુદ્ધ ગતિ કરે છે.
$(b)$ પ્રક્રિયા $\frac{1}{2} H_{2(g)} + \frac{1}{2} Cl_{2(g)} \rightarrow HCl_{(g)}$ માટે,એન્થાલ્પી ફેરફાર $\Delta_{r} H^{\ominus} = -92.32 \ kJ \ mol^{-1}$ છે.
પ્રક્રિયા $(a)$ માં ઊર્જા વધે છે અને પ્રક્રિયા $(b)$ માં ઘટે છે. એન્થાલ્પીમાં ઘટાડો (ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા) સામાન્ય રીતે સ્વયંભૂતાને અનુકૂળ બનાવે છે. તેથી,પ્રક્રિયા $(b)$ માં,એન્થાલ્પી ફેરફાર એ સ્વયંભૂતા માટે જવાબદાર પરિબળ છે.