$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) का कारण क्या है?

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।

निम्नलिखित में से किस चित्र में डायोड उत्क्रम अभिनत (reverse biased) है?

एक $2\,V$ की बैटरी एक डायोड को फॉरवर्ड बायस करती है। डायोड के सिरों पर $0.5\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप है जो धारा से स्वतंत्र है। साथ ही,$10\,mA$ से अधिक की धारा बड़ी जूल ऊष्मा उत्पन्न करती है और डायोड को क्षतिग्रस्त कर देती है। यदि डायोड को $5\,mA$ पर संचालित करना है,तो उपयोग किया जाने वाला श्रेणी प्रतिरोध क्या होगा?

दी गई आकृति में,कौन से डायोड फॉरवर्ड बायस में हैं?

दी गई आकृति में,एक $Si$ डायोड और एक $Ge$ डायोड श्रेणीक्रम में जुड़े हैं। दोनों डायोड को अग्र अभिनत (forward bias) में लाने के लिए बिंदु $A$ पर विभव कितना होना चाहिए?