$P-N$ जंक्शन के निकट आवेश घनत्व और दूरी के बीच का वक्र कैसा होगा?

नीचे दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) $50\,\Omega $ है। यदि बैटरी का वोल्टेज $6\,V$ है,तो $100\,\Omega $ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) क्या है?

एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

$PN$-जंक्शन डायोड के फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में प्रतिरोधों का अनुमानित अनुपात क्या है?

एक डायोड सभी धाराओं के लिए $0.5\, V$ के स्थिर विभव पतन (potential drop) पर कार्य करता है और इसकी अधिकतम शक्ति रेटिंग $100\, mW$ है। यदि स्रोत वोल्टेज $1.5\, V$ है,तो डायोड के साथ श्रेणीक्रम में कितना प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए ताकि परिपथ में धारा अधिकतम हो? ($\Omega$ में)

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?