$PN$-जंक्शन डायोड के फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में प्रतिरोधों का अनुमानित अनुपात क्या है?

चित्र में,$A$ और $B$ के बीच विभवांतर......$V$ है।

निम्नलिखित कथनों के संदर्भ में कौन सा सही है? $n$ से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण:
$I$. अवक्षय (depletion) क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन जमा हो जाते हैं।
$II$. इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट धारा $p$-साइड से $n$-साइड की ओर होती है।
$III$. $n$-क्षेत्र में एक आयनित दाता (donor) शेष रह जाता है।
$IV$. $n$-साइड के इलेक्ट्रॉन $p$-साइड में आते हैं और $p$-साइड में इलेक्ट्रॉन-होल संयोजन होता है।
निम्नलिखित में से सही विकल्प चुनें।

यदि डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज बढ़ाया जाता है,तो डिप्लेशन परत की मोटाई .......

$p-n$ जंक्शन का अवक्षय क्षेत्र (depletion region):

इस परिपथ में दो विपरीत रूप से जुड़े आदर्श डायोड समानांतर में हैं। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा क्या है ($A$ में)?