$p-n$ जंक्शन का अवक्षय क्षेत्र (depletion region):

निम्नलिखित सिलिकॉन-आधारित ट्रांजिस्टर सर्किट में $V_{CE}$ ज्ञात कीजिए। ($V$ में)

दिए गए चित्र के लिए,जब आदर्श डायोड $D$ फॉरवर्ड बायस में होता है,तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच प्रतिरोध $R_1$ है और जब यह रिवर्स बायस में होता है,तो प्रतिरोध $R_2$ है। अनुपात $R_1: R_2$ है

चित्र में एक $p-n$ जंक्शन डायोड का $I-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $1 \text{ V}$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $p-n$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ज्ञात कीजिए। ($\Omega$ में)

दी गई आकृति में,प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30\, \Omega$ है और रिवर्स बायस में अनंत प्रतिरोध है। धारा ${I}_{1}$ का मान $....\,A$ होगा।

रिवर्स बायस $pn$-जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई: