p-n जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) क | vedclass

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Question

(B) जब एक $p-n$ जंक्शन बनता है,तो आवेश वाहकों ($p$-क्षेत्र में होल और $n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन) की सांद्रता प्रवणता के कारण वे जंक्शन के आर-पार विसर

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आवेश वाहकों का विसरण (diffusion)

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(B) जब एक $p-n$ जंक्शन बनता है,तो आवेश वाहकों ($p$-क्षेत्र में होल और $n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन) की सांद्रता प्रवणता के कारण वे जंक्शन के आर-पार विसरित (diffuse) होते हैं।जैसे ही इलेक्ट्रॉन $n$-पक्ष से $p$-पक्ष की ओर और होल $p$-पक्ष से $n$-पक्ष की ओर विसरित होते हैं,वे जंक्शन के पास पुनर्संयोजित (recombine) हो जाते हैं।यह पुनर्संयोजन अचल आयनित अशुद्धि परमाणुओं ($p$-पक्ष पर ऋण आयन और $n$-पक्ष पर धन आयन) को पीछे छोड़ देता है।ये अचल आयन एक विद्युत क्षेत्र बनाते हैं जो आगे के विसरण का विरोध करता है,जिसके परिणामस्वरूप एक ऐसा क्षेत्र बनता है जिसमें गतिशील आवेश वाहक नहीं होते हैं,जिसे अवक्षय परत (depletion layer) कहा जाता है।

$p-n$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

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$Saccharomyces\, cerevisiae$ का उपयोग...... के उत्पादन में किया जाता है।

कॉम्पटन प्रभाव दर्शाता है कि:

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