આપેલ લાક્ષણિક વક્ર કયા ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણ સાથે સંબંધિત છે?

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને સાચો જવાબ ઓળખો:
$A$. સોલર સેલ માટે,$I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આપેલ આલેખના $IV$ ચરણમાં આવેલી છે.
$B$. રિવર્સ બાયસ્ડ $pn$ જંકશન ડાયોડમાં,$(\mu A)$ માં મપાતો પ્રવાહ મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે.

પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે આપણે શું વાપરીએ છીએ?

$LED$ ના $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?

$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?

સૌર વિકિરણોનું emf માં કાર્યક્ષમ રૂપાંતરણ કરવા માટે પદાર્થ $A$ નો ઉપયોગ કરીને એક સોલર સેલ બનાવવાનો છે. સોલર સેલને પદાર્થ $B$ ના કોટિંગની મદદથી યાંત્રિક રીતે સુરક્ષિત રાખવાનો છે. જો પદાર્થ $A$ અને $B$ ની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા અનુક્રમે $E_{A}$ અને $E_{B}$ હોય,તો સોલર સેલના વધુ સારા પ્રદર્શન માટે નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ શ્રેષ્ઠ છે?