$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?

સોલર સેલ માટે વપરાતા પદાર્થનો બેન્ડ ગેપ કેટલો હોવો જોઈએ?

$1.4 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માંથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કઈ તરંગલંબાઇના સિગ્નલને શોધી શકે છે?

કયા પ્રકારના $p-n$ જંકશન ડાયોડને કાર્ય કરવા માટે ફોરવર્ડ બાયસની જરૂર પડતી નથી?

નીચેનો આલેખ શું દર્શાવે છે?

ફોટોડાયોડની વાહકતા ત્યારે જ બદલાવાનું શરૂ થાય છે જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ < 660 \, nm કરતા ઓછી હોય. ફોટોડાયોડનો બેન્ડ ગેપ $\left(\frac{x}{8}\right) eV$ જેટલો મળે છે. $x$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે? (આપેલ છે, $h=6.6 \times 10^{-34} \, Js, c=3 \times 10^8 \, m/s, e=1.6 \times 10^{-19} \, C$)