$3 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करके एक $CCD$ कैमरा बनाया गया है। यह जिस प्रकाश की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है,वह लगभग है ($nm$ में)

फोटोडायोड के बायसिंग वोल्टेज को बढ़ाने पर,फोटोकरंट का परिमाण

$LED$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड है जो

किस प्रकार के $p-n$ जंक्शन डायोड को किसी भी प्रकार के बायस (bias) की आवश्यकता नहीं होती है?

$2.8 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ जंक्शन बनाया गया है। यह किस अनुमानित तरंगदैर्ध्य का पता नहीं लगा सकता है ($nm$ में)?
[ $h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ और $c = 3 \times 10^8 \ m/s$ का उपयोग करें ]

इन्फ्रारेड $LED$ के निर्माण में प्रयुक्त सामग्री है