જ્યારે ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E$ છે. ગતિઊર્જા બમણી કરવા માટે,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી હોવી જોઈએ?

સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $6 \times 10^{-7} \, m$ છે. તો $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ક્યારે થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે અને વિકિરણની તીવ્રતા અચળ રાખવામાં આવે,તો:

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

$2 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ આપાત કરતાં ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉનની મહત્તમ ગતિઊર્જા = ........ $eV$ (આપેલ છે: $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,$1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$). ($.49$ માં)

એક $EM$ વિકિરણનો વિદ્યુતક્ષેત્ર ઘટક સમય સાથે $E = a(\cos \omega_{0} t + \sin \omega t \cos \omega_{0} t)$ મુજબ બદલાય છે, જ્યાં '$a$' અચળાંક છે, $\omega = 10^{15} \text{ s}^{-1}$, અને $\omega_{0} = 5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1}$ છે. આ વિકિરણ એક ધાતુ પર પડે છે જેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ છે. તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે? $(h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s})$