જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

જ્યારે $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. તો $\nu =$ (જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$I$ તીવ્રતા અને $f$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ વિવિધ આવૃત્તિઓ માટે માપવામાં આવે છે. જો $Y$ નું કાર્ય વિધેય $X$ કરતા વધારે હોય,તો નીચેનામાંથી કયો આલેખ અપેક્ષિત પરિણામોને શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવે છે?

આર્ગોન લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ $488 \, nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે કરવામાં આવે છે। જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.38 \, V$ છે। કેથોડ મટીરીયલનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)?

એલ્યુમિનિયમ અને ગોલ્ડના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.1\,eV$ અને $5.1\,eV$ છે. ગોલ્ડ અને એલ્યુમિનિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ ફ્રીક્વન્સીના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર $.......$ છે.

$\nu$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતા પદાર્થ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $\nu_0 < \nu$). ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?