આકૃતિમાં દર્શાવેલ નેટવર્ક એ સર્કિટનો એક ભાગ છે. (બેટરીનો આંતરિક અવરોધ અવગણ્ય છે). એક ચોક્કસ ક્ષણે પ્રવાહ $2 \ A$ છે અને તે $10^2 \ A \ s^{-1}$ ના દરે ઘટી રહ્યો છે. બિંદુઓ $B$ અને $A$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો છે ($V$ માં)?

જ્યારે સોલેનોઇડમાંથી વહેતો પ્રવાહ $i$ અચળ દરે વધતો હોય, ત્યારે પ્રેરિત પ્રવાહ કેવો હશે?

$30\text{ cm}$ લાંબા સોલેનોઇડમાં પ્રતિ સેમી $10$ આંટા છે અને ક્ષેત્રફળ $5\text{ cm}^2$ છે. સોલેનોઇડ કોઈલમાંથી વહેતો પ્રવાહ $3.14\text{ s}$ માં $2\text{ A}$ થી બદલાઈને $4\text{ A}$ થાય છે. કોઈલમાં ઉદ્ભવતું e.m.f. $\alpha \times 10^{-5}\text{ V}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

ચાર ઇન્ડક્ટર્સ $A, B, C, D$ માટે ચુંબકીય ફ્લક્સ $(\phi)$ વિરુદ્ધ પ્રવાહ $(I)$ નો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. કયા ઇન્ડક્ટર માટે સેલ્ફ-ઇન્ડક્ટન્સનું મૂલ્ય સૌથી વધુ છે?

સમાન આંટાઓની સંખ્યા ધરાવતા બે સોલેનોઈડ $A$ અને $B$ ની લંબાઈ અને ત્રિજ્યાનો ગુણોત્તર $1 : 3$ છે. સોલેનોઈડ $A$ અને $B$ ના આત્મ-પ્રેરકત્વ (self-inductance) નો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1 :$ $L$ લંબાઈ,$N$ કુલ આંટા અને $r$ ત્રિજ્યા ધરાવતા લાંબા સોલેનોઈડનું આત્મ-પ્રેરકત્વ (Self-inductance) $\frac{{\pi {\mu _0}{N^2}{r^2}}}{L}$ કરતા ઓછું હોય છે.
વિધાન $2:$ વિધાન $1$ માં દર્શાવેલ $I$ પ્રવાહ ધરાવતા સોલેનોઈડમાં ચુંબકીય પ્રેરણ સોલેનોઈડના મધ્યમાં $\frac{{{\mu _0}NI}}{L}$ હોય છે પરંતુ જેમ આપણે તેના છેડા તરફ જઈએ છીએ તેમ તે ઘટતું જાય છે.