સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $v$ વેગથી એકબીજાથી દૂર ખેંચવામાં આવે છે. જો કોઈ ક્ષણે તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,તો કેપેસીટન્સના સમય સાથે બદલાવનો દર $d$ પર કેવી રીતે આધાર રાખે છે?

એક કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. જ્યારે તેમની વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેના આકર્ષણ બળમાં શું ફેરફાર થાય છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?

$Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર અને $A$ જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ ની ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનું સ્થિત-વિદ્યુત બળ કેટલું હોય છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ગોળાકાર પ્લેટોની ત્રિજ્યા $0.08\,m$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $1.0 \times 10^{-3}\,m$ છે. જો $100\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવામાં આવે,તો કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર કેટલો હશે?

શું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ તેની પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ પર આધાર રાખે છે?