એક ચાર્જ થયેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની સ્થિતિ ઉર્જા $U_0$ છે. જો $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો નવી સ્થિતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

બે બિંદુવત વિદ્યુતભારોને હવામાં $r$ જેટલા અંતરે રાખવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેનું બળ $F_1$ છે. જો તેમની વચ્ચેની જગ્યાનો અડધો ભાગ $K=4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે,તો તેમની વચ્ચેનું બળ $F_2$ થાય છે. જો તેમની વચ્ચેની જગ્યાનો $1/3$ ભાગ $K=9$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકથી ભરવામાં આવે,તો ગુણોત્તર $F_1/F_2$ કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_p$ છે. તેને $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થોના સમાંતર સ્તરોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. હવે તેની ક્ષમતા $C_K$ થાય છે. $C_P$ અને $C_K$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે મુજબ બદલાતી હોય ત્યારે કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ શું હશે:
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + kx$,$(0 < x \leq d/2)$ માટે
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + k(d-x)$,$(d/2 \leq x \leq d)$ માટે

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને શ્રેણીમાં જોડીને $V_0 \, V$ ના અચળ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

એક કેપેસિટરને બેટરી વડે સંપૂર્ણ ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી તેને ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિકની સપાટી પરના અને કેપેસિટરની પ્લેટોની બહારની સપાટી પરના વિદ્યુતભારોમાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થશે?