કઈ પ્રક્રિયામાં ઉર્જાનું શોષણ જરૂરી છે?

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) તટસ્થ પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરીને ઋણ આયન બનાવવાની પ્રક્રિયાને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી કહેવાય છે. પ્રથમ ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવા માટે ($F 	o F^-$,

Vedclass · Accepted Answer

$O 	o O^{2-}$

Vedclass · Answer

(C) તટસ્થ પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરીને ઋણ આયન બનાવવાની પ્રક્રિયાને ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી કહેવાય છે. પ્રથમ ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવા માટે ($F 	o F^-$,$Cl 	o Cl^-$,$O 	o O^-$,$H 	o H^-$),સામાન્ય રીતે ઉર્જા મુક્ત થાય છે. જોકે,ઋણ આયનમાં બીજો ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરવા માટે $(O^- + e^- 	o O^{2-})$,આવતા ઇલેક્ટ્રોન અને ઋણ આયન વચ્ચેના પ્રબળ સ્થિર વિદ્યુતીય અપાકર્ષણને દૂર કરવા માટે ઉર્જાનું શોષણ જરૂરી છે. તેથી,$O 	o O^{2-}$ પ્રક્રિયામાં ઉર્જાનું શોષણ થાય છે.

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયામાં ઉર્જા મુક્ત થાય છે?

$Na^{-} \xleftarrow{x} Na \xrightarrow{5 \ eV} Na^{+}$
$X$ નું મૂલ્ય $eV$ માં જણાવો.

નીચેનામાંથી કયા પરમાણુની $1^{st}$ ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી (ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી) સૌથી વધુ હોવી જોઈએ?

ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટીના ક્રમની સાચી જોડી કઈ છે?

$C$,$Si$,અને $Ge$ માટે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ કયો છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module