સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સના પુનઃસંયોજન (recombination) અથવા નિર્માણ (generation) નો દર કયા નિયમ(ઓ) દ્વારા સંચાલિત થાય છે?

ડોનર અશુદ્ધિના પરિણામે શું મળે છે?

ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરના ચાર્જ વિશે કયું વિધાન સાચું છે?

$5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા,$5 \times 10^{19} \, m^{-3}$ હોલ સાંદ્રતા,$2.0 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી અને $0.01 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ હોલ મોબિલિટી ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર નમૂનાની વાહકતા કેટલી હશે? (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $1.6 \times 10^{-19} \, C$ લો)

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

જ્યારે અર્ધવાહકનું તાપમાન વધે છે,ત્યારે: