अर्धचालकों में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या $(n)$ और उसके तापमान $(T)$ के बीच का संबंध है

GaAs है

जर्मेनियम $(Ge)$ के लिए बैंड गैप ऊर्जा क्या है?

कथन : अर्धचालक (semiconductor) की प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ती है।
कारण : अर्धचालक के परमाणु उच्च तापमान पर बड़े आयाम के साथ कंपन करते हैं,जिससे इसकी प्रतिरोधकता बढ़ जाती है।

कथन $(A)$: जब एल्युमीनियम के एक तार और सिलिकॉन के एक अन्य तार को कमरे के तापमान से $80^{\circ} C$ तक गर्म किया जाता है,तो एल्युमीनियम की चालकता घटती है और सिलिकॉन की चालकता बढ़ती है।
कारण $(R)$: एल्युमीनियम का प्रतिरोधकता ताप गुणांक धनात्मक होता है और सिलिकॉन का प्रतिरोधकता ताप गुणांक ऋणात्मक होता है।

तांबे का एक टुकड़ा और जर्मेनियम का दूसरा टुकड़ा कमरे के तापमान से $80\, K$ तक ठंडा किया जाता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?