चित्र में दिखाए गए जर्मेनियम जंक्शन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण वक्र है,तो इसका प्रतिरोध ........ $k\Omega$ है $(V_k = 0.3 \, V)$।

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लीशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?
$(A)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
$(B)$ ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
$(C)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
$(D)$ ज़ोन में विद्युत क्षेत्र कंडक्शन बैंड में इलेक्ट्रॉनों और वैलेंस बैंड में होल्स द्वारा प्रदान किया जाता है।

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

चित्र में दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड $D_1$ और $D_2$ हैं। यदि $3 \text{ V}$ विद्युत वाहक बल (emf) और नगण्य आंतरिक प्रतिरोध वाली एक सेल को चित्रानुसार जोड़ा जाता है,तो $70 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पियर में) क्या होगी?