$PN$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायसिंग

एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि अवक्षय परत (depletion region) $5 \times 10^{-7} \ m$ चौड़ी है,तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता क्या होगी?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, ब्रेकडाउन वोल्टेज तब होता है जब

चित्र में दिखाए गए परिपथ में,डायोड $D_{1}$ और डायोड $D_{2}$ के सिरों पर गैर-शून्य विभवांतर समान है। क्या डायोड विशेषताओं में समान हैं? समझाइए।

चित्र में एक $p-n$ जंक्शन डायोड का $I-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $1 \text{ V}$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $p-n$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ज्ञात कीजिए। ($\Omega$ में)

एक अर्धचालक डायोड में,$P$-सिरे को अर्थ किया गया है और $N$-सिरे को $-2\,V$ के विभव पर रखा गया है,तो डायोड