બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ નો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું કાર્ય વિધેય (work function) એ

જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ($v > v_0$,થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) શું થશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગ અંગે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(I)$ ધાતુ પર પ્રકાશ પડતાની સાથે જ ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે.
$(II)$ એક લઘુત્તમ આવૃત્તિ હોય છે જેની નીચે કોઈ ફોટોકરંટ જોવા મળતો નથી.
$(III)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ પ્રકાશની આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે.
$(IV)$ ફોટોકરંટ પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયા વિધાનો સૂચવે છે કે પ્રકાશ એ ક્વોન્ટા (ફોટોન) નો બનેલો છે જેની ઉર્જા આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે?

$1 \times 10^{-4} \, m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર $16 \, mW/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતા વિકિરણ આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $5 \, eV$ છે. આપાત ફોટોનની ઊર્જા $10 \, eV$ છે અને માત્ર $10\%$ ફોટોન ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તેમની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા અનુક્રમે કેટલી હશે? $[1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

$2.5 eV$ અને $3.5 eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન $1.5 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?