अर्धचालक की प्रतिरोधकता $(\rho)$ की तापमान $(T)$ पर निर्भरता को किसके द्वारा दर्शाया गया है?

मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ सांद्रता वाले पंचसंयोजी $As$ के साथ डोप किया जाता है। इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या की गणना करें। $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक होता है

यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ फॉस्फोरस के साथ भारी मात्रा में डोप किए गए अर्धचालक में क्रमशः इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या हैं,तो:

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए कौन सा कथन सही है?

$5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ इलेक्ट्रॉन सांद्रता,$5 \times 10^{19} \, m^{-3}$ होल सांद्रता,$2.0 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और $0.01 \, m^2 \, V^{-1} \, s^{-1}$ होल गतिशीलता वाले अर्धचालक नमूने की चालकता क्या है? (इलेक्ट्रॉन का आवेश $1.6 \times 10^{-19} \, C$ लें)