એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હાઇડ્રોજનની $H_{\alpha}$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી છે. જો આ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર હાઇડ્રોજનની $H_{\beta}$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી આવૃત્તિ ધરાવતો ફોટોન આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($R$ = રિડબર્ગ અચળાંક,$h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$ = શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, $y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને $x$-અક્ષ પર આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચે દોરેલા આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$)

આ પ્રશ્નમાં વિધાન $1$ અને વિધાન $2$ આપેલ છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન $1:$ એક ધાતુની સપાટી પર $v > v_0$ (થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) આવૃત્તિ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોકરંટ અને મહત્તમ ગતિઊર્જા પણ બમણી થાય છે.
વિધાન $2:$ સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર રેખીય રીતે આધાર રાખે છે. ફોટોકરંટ માત્ર આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

ટંગસ્ટન અને સોડિયમ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.5 \text{ eV}$ અને $2.3 \text{ eV}$ છે. જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\lambda_0$ એ $5460 \text{ \AA}$ હોય, તો ટંગસ્ટન માટે $\lambda_0$ નું મૂલ્ય ............ $\text{ \AA}$ છે.