એક પદાર્થ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \, \mathring{A}$ છે. જ્યારે આ પદાર્થને નીચેનામાંથી કયા એકરંગી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

સીઝિયમનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \ eV$ છે. જો $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા ફોટોકરંટને શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (જવાબ $nm$ માં)

બે જુદી-જુદી આવૃત્તિવાળા બે પ્રકાશિત કિરણો જેમની ઊર્જા અનુક્રમે $1 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે,તે $0.5 \ eV$ વર્ક ફંકશન વાળી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000\;\mathring{A}$ છે. તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

વિધાન $1$ : જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશને બદલે $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $2$ : ફોટોઈલેક્ટ્રોન $0$ થી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપની રેન્જ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે કારણ કે આપાત પ્રકાશમાં આવૃત્તિઓની રેન્જ હોય છે.

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.