કયા કિસ્સામાં વેલેન્સ બેન્ડનું ઉપરનું સ્તર અને કન્ડક્શન બેન્ડનું નીચેનું સ્તર એકબીજા પર ઓવરલેપ થાય છે?

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.1 \, eV$ છે. કેટલી તરંગલંબાઈએ સિલિકોન ફોટોનનું શોષણ કરવાનું બંધ કરશે? ($\mathring A$ માં)

$C$ અને $Si$ બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરેક માં $4$ બંધન ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જોકે,$C$ એ અવાહક છે જ્યારે $Si$ એ શુદ્ધ અર્ધવાહક છે. આનું કારણ એ છે કે:

$Si$ નો એનર્જી બેન્ડ ગેપ ........ $eV$ છે.

કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમ ત્રણેય પરમાણુઓમાં ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જો તેમના બૅન્ડગૅપને અનુક્રમે $(E_g)_C$,$(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

$0 \ K$ તાપમાને અર્ધવાહકોમાં સંયોજકતા પટ્ટો (valence band) ..... હોય છે.