$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

$2 \, mm$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $400 \, V$ ના સોર્સ વોલ્ટેજ સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $60 \, cm^2$ હોય,તો $10^{-6} \, s$ ના સમયગાળા માટે સ્થાનાંતર પ્રવાહનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

$30 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $150 \mu A$ છે. કેપેસીટરને બદલાતા પોટેન્શિયલના સ્ત્રોત દ્વારા કયા દરે ચાર્જ કરવામાં આવે છે ($Vs^{-1}$ માં)?

જ્યારે વોલ્ટેજ $10^{6} \,V s^{-1}$ ના દરે બદલાતો હોય ત્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4.425 \,\mu A$ નો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઉત્પન્ન થાય છે. કેપેસિટરની દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $40 \,cm^{2}$ છે. કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $x \times 10^{-3} \,m$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ................ છે. (મુક્ત અવકાશની પરમિટિવિટી,$\varepsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} \,C^{2} N^{-1} m^{-2}$)

$60\, cm^2$ ક્ષેત્રફળ અને $3\, mm$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને શરૂઆતમાં $90\, \mu C$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું માધ્યમ થોડું વાહક બને અને પ્લેટ $2.5\times10^{-8}\, C/s$ ના દરે ચાર્જ ગુમાવે,તો પ્લેટો વચ્ચેનું ચુંબકીય ક્ષેત્ર કેટલું હશે?

એક ઇન્સ્યુલેટર પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેથી પસાર કરવામાં આવે છે. તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current)