એક ધાતુનું કાર્ય-વિધેય (work-function) $1 eV$ છે. $3000 \text{Å}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ (જ્યાં $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે) એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5v_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે જ પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો છે?

મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ અને આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેના રેખાઓ $P, Q, R$ અને $S$ દર્શાવતા ચાર આલેખમાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

જો કોઈ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $\phi$ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ હોય,તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ક્યારે નહીં થાય?

દ્રશ્યમાન પ્રકાશમાં તરંગલંબાઈ જાંબલી રંગ માટે આશરે $390\; nm$,પીળા-લીલા રંગ માટે આશરે $550\; nm$ (સરેરાશ તરંગલંબાઈ) અને લાલ રંગ માટે આશરે $760\; nm$ છે.
$(a)$ દ્રશ્યમાન વર્ણપટના $(i)$ જાંબલી છેડે,$(ii)$ સરેરાશ તરંગલંબાઈ (પીળો-લીલો રંગ),અને $(iii)$ લાલ છેડે ફોટોનની ઊર્જા $(eV)$ માં કેટલી હશે? ($h=6.63 \times 10^{-34} \;J s$ અને $1 \;eV = 1.6 \times 10^{-19} \;J$ લો)
$(b)$ કોષ્ટકમાં આપેલા વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થોમાંથી,$(a)$ ના $(i), (ii)$ અને $(iii)$ ના પરિણામોનો ઉપયોગ કરીને,તમે કયું ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉપકરણ બનાવી શકો જે દ્રશ્યમાન પ્રકાશ સાથે કાર્ય કરે?

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)