મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ અને આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેના રેખાઓ $P, Q, R$ અને $S$ દર્શાવતા ચાર આલેખમાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને $\frac{\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિઊર્જા $4E$ થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda = 4770 \ \mathring{A}$ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ ચાર અલગ-અલગ ધાતુઓ $A, B, C$ અને $D$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે. $A, B, C$ અને $D$ ના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) અનુક્રમે $4.2 \ \text{eV}, 3.7 \ \text{eV}, 3.2 \ \text{eV}$ અને $2.3 \ \text{eV}$ છે. કઈ ધાતુઓમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

$2 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ આપાત કરતાં ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉનની મહત્તમ ગતિઊર્જા = ........ $eV$ (આપેલ છે: $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,$1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$). ($.49$ માં)

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $4.125 \ eV$ છે. આ સપાટી માટે કટ-ઓફ તરંગલંબાઈ .......... $\mathring{A}$ છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.