આ પ્રશ્નમાં વિધાન-$1$ અને વિધાન-$2$ આપેલા છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન-$1$: ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગે ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિ સ્થાપિત કરી.
વિધાન-$2$: જો ઇલેક્ટ્રોન તરંગ પ્રકૃતિ ધરાવતા હોય,તો તેઓ વ્યતિકરણ (interference) કરી શકે છે અને વિવર્તન (diffraction) દર્શાવી શકે છે.

  • A
    વિધાન-$1$ સાચું છે,વિધાન-$2$ ખોટું છે.
  • B
    વિધાન-$1$ સાચું છે,વિધાન-$2$ સાચું છે અને વિધાન-$2$ એ વિધાન-$1$ ની સાચી સમજૂતી નથી.
  • C
    વિધાન-$1$ સાચું છે,વિધાન-$2$ સાચું છે અને વિધાન-$2$ એ વિધાન-$1$ ની સાચી સમજૂતી છે.
  • D
    વિધાન-$1$ ખોટું છે,વિધાન-$2$ સાચું છે.

Explore More

Similar Questions

ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગ,જેણે સૌપ્રથમ દ્રવ્યની તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવી હતી,તેમાં $54 \ V$ પર પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો. ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગમાં ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં શોધો.

$x-$ દિશામાં ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનનો સમાંતર બીમ $d$ પહોળાઈની સ્લિટ પર પડે છે. જો સ્લિટમાંથી પસાર થયા પછી,ઇલેક્ટ્રોન $y-$ દિશામાં $P_y$ વેગમાન મેળવે છે,તો સ્લિટમાંથી પસાર થતા મોટાભાગના ઇલેક્ટ્રોન માટે ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે):

ઇલેક્ટ્રોનના તરંગ સ્વભાવની પ્રાયોગિક ચકાસણી કોણે કરી હતી?

ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિનું પ્રાયોગિક રીતે સમર્થન કોના દ્વારા કરવામાં આવ્યું હતું?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ઇલેક્ટ્રોનનો બીમ તરંગ પ્રકૃતિ દર્શાવે છે અને વ્યતિકરણ (interference) અને વિવર્તન (diffraction) પ્રદર્શિત કરે છે.
કારણ $R:$ ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગે ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિને પ્રાયોગિક રીતે ચકાસી હતી.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo