ત્રણ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C_1, C_2$ અને $C_3$ દરેકનું કેપેસિટન્સ $5 \mu F$ છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. જ્યારે $C_1$ કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ ભરવામાં આવે,ત્યારે બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનું અસરકારક કેપેસિટન્સ કેટલું થાય ($\mu F$ માં)?

જો બે પ્લેટો વચ્ચે $t = \frac{2d}{3}$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે, તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ તેના મૂળ મૂલ્ય કરતાં $\frac{7}{6}$ ગણું થાય છે, જ્યાં $d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે. સ્લેબનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની માઈકા શીટ અને $0.5 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની ફાઈબર શીટથી ભરેલી છે. માઈકા અને ફાઈબરના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અનુક્રમે $8$ અને $2.5$ છે. જો ફાઈબર $6.4 \times 10^6 \,V/m$ ના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર બ્રેકડાઉન થાય, તો કેપેસિટર પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($\,V$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.05\, m$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે $3 \times 10^4\, V/m$ મૂલ્યનું વિદ્યુતક્ષેત્ર સ્થાપિત કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીથી અલગ કરવામાં આવે છે અને $0.01\, m$ જાડાઈની ધાતુની અવિદ્યુતભારિત પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો ધાતુની પ્લેટને બદલે $K = 2$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પ્લેટ મૂકવામાં આવે,તો સ્થિતિમાન તફાવત કેટલા $kV$ હશે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે અને સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $3\,mm$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ સપ્રમાણ રીતે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ .........$\mu F$ થશે.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?