હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $100 \,V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $2 \,mm$ જાડાઈની એક પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ, સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \,mm$ વધારવામાં આવે છે. જાડી પ્લેટનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$C$ અને $2C$ કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને બેટરી દ્વારા $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. $C$ કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિકથી ભરી દેવામાં આવે છે. કેપેસિટર વચ્ચે નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થાય?

એક કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C_0$ છે જ્યારે તેની પ્લેટો વચ્ચે કોઈ ડાયઇલેક્ટ્રિક નથી. $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે સ્લેબ,જેનું ક્ષેત્રફળ પ્લેટોના ક્ષેત્રફળ જેટલું છે પરંતુ જાડાઈ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર કરતા અડધી છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો નવું કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને સમાન જાડાઈના $3$ ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થોથી ભરવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો એવા છે કે $k_3 > k_2 > k_1$. ધારો કે દરેક ડાયલેક્ટ્રિકમાં વિદ્યુત ક્ષેત્ર અને પોટેન્શિયલ ડ્રોપના મૂલ્યો અનુક્રમે $E_3, E_2, E_1$ અને $\Delta V_3, \Delta V_2, \Delta V_1$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

બે ધાતુની પ્લેટો એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને દરેક પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરના નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શું હશે?