तीन फोटोडायोड $D_{1}, D_{2}$ और $D_{3}$ ऐसे अर्धचालकों से बने हैं जिनका बैंड गैप क्रमशः $2.5 eV, 2 eV$ और $3 eV$ है। इनमें से कौन $600 nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश का पता लगाने में सक्षम होगा?

$LED$ का $I-V$ अभिलक्षण निम्नलिखित में से किस ग्राफ द्वारा दर्शाया गया है?

एक $PN$ जंक्शन फोटोसेल में,एकवर्णी प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-विद्युत वाहक बल (photo-electromotive force) का मान किसके समानुपाती होता है?

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A:$ फोटोडायोड का उपयोग आमतौर पर प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फॉरवर्ड बायस में किया जाता है।
कारण $R:$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, अनुप्रयुक्त वोल्टेज $V$ पर, $|V_z| > |V| \geq V_0$ के लिए फॉरवर्ड बायस में धारा रिवर्स बायस की तुलना में अधिक होती है, जहाँ $V_0$ थ्रेशोल्ड वोल्टेज है और $V_z$ ब्रेकडाउन वोल्टेज है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें।

एक $LED$ के लिए विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के दृश्य क्षेत्र में प्रकाश उत्सर्जित करने हेतु,इसका ऊर्जा बैंड अंतराल किस सीमा में होना चाहिए? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ के मामले में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?