$\frac{1}{2} \text{ F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $I$ એમ્પીયરનો તાત્કાલિક સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) સ્થાપિત કરવા માટે,$\frac{dV}{dt}$ નું મૂલ્ય ....... છે.

$50 \, Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો $AC$ વોલ્ટેજ $V(t) = 20 \sin \omega t$ ને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને લાગુ પાડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \, mm$ છે અને ક્ષેત્રફળ $1 \, m^2$ છે. લાગુ પાડેલા $AC$ વોલ્ટેજ માટે દોલિત સ્થાનાંતર પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર ...... $\mu A$ છે.
[લો $\varepsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \, F/m$]

એક કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો કેપેસિટરની અંદરનું વિદ્યુતસ્થિતિમાન $10^{12} \ V \ s^{-1}$ ના દરે બદલાતું હોય,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ..... $A$ છે.

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $V = V_{0} \sin \omega t$ દ્વારા આપવામાં આવતા $V$ વોલ્ટેજના $AC$ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) નીચેનામાંથી કયું હશે?

નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ એમ્પીયર-મેક્સવેલનો નિયમ દર્શાવે છે?

દરિયાઈ પાણીમાં $f = 9 \times 10^{2} \, Hz$ આવૃત્તિ પર પરમિટિવિટી $\varepsilon = 80 \varepsilon_{0}$ અને અવરોધકતા $\rho = 0.25 \, \Omega m$ છે. કલ્પના કરો કે એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર દરિયાઈ પાણીમાં ડૂબેલું છે અને તેને $V(t) = V_{0} \sin(2 \pi ft)$ એસી વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચલાવવામાં આવે છે. તો $t = \frac{1}{800} \, s$ સમય પછી વહન પ્રવાહ ઘનતા એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઘનતા કરતા $10^{x}$ ગણી થાય છે. $x$ નું મૂલ્ય ......... છે. $\left(\frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}} = 9 \times 10^{9} \, Nm^{2} C^{-2}\right)$