$50 \, Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો $AC$ વોલ્ટેજ $V(t) = 20 \sin \omega t$ ને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને લાગુ પાડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \, mm$ છે અને ક્ષેત્રફળ $1 \, m^2$ છે. લાગુ પાડેલા $AC$ વોલ્ટેજ માટે દોલિત સ્થાનાંતર પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર ...... $\mu A$ છે.
[લો $\varepsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \, F/m$]

$30 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $150 \mu A$ છે. કેપેસીટરને બદલાતા પોટેન્શિયલના સ્ત્રોત દ્વારા કયા દરે ચાર્જ કરવામાં આવે છે ($Vs^{-1}$ માં)?

$R=6.0\; cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી વર્તુળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર (આકૃતિ) નું કેપેસિટન્સ $C=100\; pF$ છે. આ કેપેસિટરને $300 \;rad \;s ^{-1}$ ની કોણીય આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના ac સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(a)$ વહન પ્રવાહ (conduction current) નું rms મૂલ્ય કેટલું છે?
$(b)$ શું વહન પ્રવાહ એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) જેટલો છે?
$(c)$ પ્લેટોની વચ્ચે અક્ષથી $3.0\; cm$ અંતરે આવેલા બિંદુએ $B$ નું કંપવિસ્તાર નક્કી કરો.

$\frac{1}{2} \text{ F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $I$ એમ્પીયરનો તાત્કાલિક સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) સ્થાપિત કરવા માટે,$\frac{dV}{dt}$ નું મૂલ્ય ....... છે.

${\epsilon _0}\left( {\frac{{d{\Phi _E}}}{{dt}}} \right)$ નો $SI$ એકમ લખો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $60\,\mu C$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. રેડિયોએક્ટિવ સ્ત્રોતને કારણે,પ્લેટ $1.8 \times 10^{-8}\, C/s$ ના દરે ચાર્જ ગુમાવે છે. સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) નું મૂલ્ય કેટલું હશે?