બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. જ્યારે સ્વિચ $S$ બંધ હોય,ત્યારે તંત્રની કુલ ઉર્જા $U_1$ છે. જો સ્વિચ ખોલવામાં આવે અને બંને કેપેસિટરને $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે,તો તંત્રની ઉર્જા $U_2$ થાય છે. $\frac{U_1}{U_2}$ નું મૂલ્ય શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. એક બેટરી પ્લેટોને $V_0$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $d$ જાડાઈની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે એક પાતળી ધાતુની પ્લેટ $P$ ને એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે બંને પ્લેટોને સમાંતર રહે. હવે કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \text{ cm}^2$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \text{ mm}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $1 \text{ mm}$ જાડાઈ અને $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. આ તંત્રનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $100 \ mm$ છે. તેમાં બે ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક સ્તરો છે: એક $10$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $6 \ mm$ જાડાઈ ધરાવતું અને બીજું $5$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $4 \ mm$ જાડાઈ ધરાવતું છે. કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ શોધો.

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?