ઇલેક્ટ્રોફાઇલ (Electrophiles) અને ન્યુક્લિયોફ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(N/A) ન્યુક્લિયોફાઇલ અને ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયાઇલેક્ટ્રોફાઇલ અને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા$(i)$ જે પ્રક્રિયક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરે છે તેને ન્ય

Vedclass · Accepted Answer

Vedclass · Answer

(N/A) ન્યુક્લિયોફાઇલ અને ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયાઇલેક્ટ્રોફાઇલ અને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા$(i)$ જે પ્રક્રિયક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરે છે તેને ન્યુક્લિયોફાઇલ $(Nu:)$ કહેવાય છે,એટલે કે ન્યુક્લિયસ શોધનાર,અને આ પ્રક્રિયાને ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયા કહેવાય છે.$(i)$ જે પ્રક્રિયક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનો સ્વીકાર કરે છે તેને ઇલેક્ટ્રોફાઇલ $(E^{+})$ કહેવાય છે,એટલે કે ઇલેક્ટ્રોન શોધનાર,અને આ પ્રક્રિયાને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા કહેવાય છે.$(ii)$ ધ્રુવીય કાર્બનિક પ્રક્રિયા દરમિયાન,ન્યુક્લિયોફાઇલ સબસ્ટ્રેટના ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર પર હુમલો કરે છે.$(ii)$ ધ્રુવીય કાર્બનિક પ્રક્રિયા દરમિયાન,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ સબસ્ટ્રેટના ન્યુક્લિયોફિલિક કેન્દ્ર પર હુમલો કરે છે.$(iii)$ સબસ્ટ્રેટનું ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર એ સબસ્ટ્રેટનો ચોક્કસ પરમાણુ અથવા ભાગ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે.$(iii)$ સબસ્ટ્રેટનું ન્યુક્લિયોફિલિક કેન્દ્ર એ સબસ્ટ્રેટનો ચોક્કસ પરમાણુ અથવા ભાગ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ છે.$(iv)$ ન્યુક્લિયોફાઇલના ઉદાહરણોમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવતા ઋણ આયનો જેવા કે હાઇડ્રોક્સાઇડ આયન $(OH^{-})$,સાયનાઇડ $(CN^{-})$,કાર્બેનાયન $(R_{3}C^{-})$ અને તટસ્થ અણુઓ જેવા કે $H_{2}O:$,$RNH_{2}$,$R_{2}NH$,$R_{3}N$ વગેરેનો સમાવેશ થાય છે.$(iv)$ ઇલેક્ટ્રોફાઇલના ઉદાહરણોમાં ધન આયનો જેવા કે કાર્બોકેટાયન ($CH_{3}^{+}$,$CH_{3}CH_{2}^{+}$) અને કાર્બોનિલ ગ્રુપ $(>C=O)$ અથવા આલ્કાઇલ હેલાઇડ્સ $(R-X)$ જેવા ક્રિયાશીલ સમૂહ ધરાવતા તટસ્થ અણુઓનો સમાવેશ થાય છે.$(v)$ આ પ્રજાતિઓ પરમાણુ પર હાજર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયક તરીકે કાર્ય કરે છે.$(v)$ કાર્બોકેટાયનમાં કાર્બન પરમાણુ પાસે છ ઇલેક્ટ્રોન (sextet) હોય છે; તેથી,તે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે અને ઇલેક્ટ્રોફાઇલ તરીકે કાર્ય કરે છે.$(vi)$ આલ્કાઇલ હેલાઇડ્સ જેવા તટસ્થ અણુઓમાં,$C-X$ બંધની ધ્રુવીયતાને કારણે,કાર્બન પરમાણુ પર આંશિક ધન વીજભાર ઉત્પન્ન થાય છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર બનાવે છે જ્યાં ન્યુક્લિયોફાઇલ હુમલો કરી શકે છે.$(vi)$ પ્રક્રિયા દરમિયાન,ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયક ન્યુક્લિયોફાઇલ પાસેથી ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ મેળવી શકે છે,અને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા થાય છે.

ઇલેક્ટ્રોફાઇલ (Electrophiles) અને ન્યુક્લિયોફાઇલ (Nucleophiles) એટલે શું? ઉદાહરણો સાથે સમજાવો.

Similar Questions

નીચેની પ્રક્રિયામાં નીપજો $(A)$ અને $(B)$ શું છે?

$R_3C^{-}, R_2N^{-}, RO^{-},$ અને $F^{-}$ માટે કેન્દ્રાનુરાગી (nucleophilicity) નો ઘટતો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝ ઇલેક્ટ્રોફાઇલ (ઇલેક્ટ્રોન અનુરાગી) છે?

નીચેનામાંથી કયું સ્વભાવે ઇલેક્ટ્રોન-અનુરાગી (electrophilic) છે?

નીચેનામાંથી કયું ન્યુક્લિયોફાઇલ (કેન્દ્રાનુરાગી) તરીકે વર્તે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module

ન્યુક્લિયોફાઇલ અને ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયા	ઇલેક્ટ્રોફાઇલ અને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા
$(i)$ જે પ્રક્રિયક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનું દાન કરે છે તેને ન્યુક્લિયોફાઇલ $(Nu:)$ કહેવાય છે,એટલે કે ન્યુક્લિયસ શોધનાર,અને આ પ્રક્રિયાને ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયા કહેવાય છે.	$(i)$ જે પ્રક્રિયક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મનો સ્વીકાર કરે છે તેને ઇલેક્ટ્રોફાઇલ $(E^{+})$ કહેવાય છે,એટલે કે ઇલેક્ટ્રોન શોધનાર,અને આ પ્રક્રિયાને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા કહેવાય છે.
$(ii)$ ધ્રુવીય કાર્બનિક પ્રક્રિયા દરમિયાન,ન્યુક્લિયોફાઇલ સબસ્ટ્રેટના ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર પર હુમલો કરે છે.	$(ii)$ ધ્રુવીય કાર્બનિક પ્રક્રિયા દરમિયાન,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ સબસ્ટ્રેટના ન્યુક્લિયોફિલિક કેન્દ્ર પર હુમલો કરે છે.
$(iii)$ સબસ્ટ્રેટનું ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર એ સબસ્ટ્રેટનો ચોક્કસ પરમાણુ અથવા ભાગ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે.	$(iii)$ સબસ્ટ્રેટનું ન્યુક્લિયોફિલિક કેન્દ્ર એ સબસ્ટ્રેટનો ચોક્કસ પરમાણુ અથવા ભાગ છે જે ઇલેક્ટ્રોન-સમૃદ્ધ છે.
$(iv)$ ન્યુક્લિયોફાઇલના ઉદાહરણોમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ ધરાવતા ઋણ આયનો જેવા કે હાઇડ્રોક્સાઇડ આયન $(OH^{-})$,સાયનાઇડ $(CN^{-})$,કાર્બેનાયન $(R_{3}C^{-})$ અને તટસ્થ અણુઓ જેવા કે $H_{2}O:$,$RNH_{2}$,$R_{2}NH$,$R_{3}N$ વગેરેનો સમાવેશ થાય છે.	$(iv)$ ઇલેક્ટ્રોફાઇલના ઉદાહરણોમાં ધન આયનો જેવા કે કાર્બોકેટાયન ($CH_{3}^{+}$,$CH_{3}CH_{2}^{+}$) અને કાર્બોનિલ ગ્રુપ $(>C=O)$ અથવા આલ્કાઇલ હેલાઇડ્સ $(R-X)$ જેવા ક્રિયાશીલ સમૂહ ધરાવતા તટસ્થ અણુઓનો સમાવેશ થાય છે.
$(v)$ આ પ્રજાતિઓ પરમાણુ પર હાજર અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મને કારણે ન્યુક્લિયોફિલિક પ્રક્રિયક તરીકે કાર્ય કરે છે.	$(v)$ કાર્બોકેટાયનમાં કાર્બન પરમાણુ પાસે છ ઇલેક્ટ્રોન (sextet) હોય છે; તેથી,તે ઇલેક્ટ્રોન-ઉણપ ધરાવે છે અને ઇલેક્ટ્રોફાઇલ તરીકે કાર્ય કરે છે.
$(vi)$ આલ્કાઇલ હેલાઇડ્સ જેવા તટસ્થ અણુઓમાં,$C-X$ બંધની ધ્રુવીયતાને કારણે,કાર્બન પરમાણુ પર આંશિક ધન વીજભાર ઉત્પન્ન થાય છે,જે તેને ઇલેક્ટ્રોફિલિક કેન્દ્ર બનાવે છે જ્યાં ન્યુક્લિયોફાઇલ હુમલો કરી શકે છે.	$(vi)$ પ્રક્રિયા દરમિયાન,ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયક ન્યુક્લિયોફાઇલ પાસેથી ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ મેળવી શકે છે,અને ઇલેક્ટ્રોફિલિક પ્રક્રિયા થાય છે.