જ્યારે એક ધાતુ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $1.2 \ eV$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિમાં $50 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $3.6 \ eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો.

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં એક ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $n$ થી ધરા અવસ્થામાં કૂદકો મારે છે. આ રીતે ઉત્સર્જિત તરંગલંબાઇ $2.75 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10 \ V$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય શોધો.

જ્યારે $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. તો $\nu =$ (જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે).

એક અલગ પડેલો સીસાનો ગોળો $\lambda = 221 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા $EM$ વિકિરણ દ્વારા સતત વિકિરણિત થવાને કારણે ચાર્જ થાય છે। જો તેનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.14 \,eV$ હોય, તો સીસાના ગોળા દ્વારા પ્રાપ્ત મહત્તમ સ્થિતિમાન કેટલું હશે ($\,V$ માં)? (લો, $h = 6.63 \times 10^{-34} \,J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \,m/s$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$):

$3315 \ \text{Å}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $3 \times 10^{-19} \ \text{J}$ ઊર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ફોટોનની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ શોધો. [પ્લાન્કનો અચળાંક $(h)$ $= 6.63 \times 10^{-34} \ \text{J-s}$, પ્રકાશનો વેગ $(c)$ $= 3 \times 10^{8} \ \text{m/s}$]. ($\text{Å}$ માં)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)