જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીને $\lambda_1$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_1$ છે. જો તે જ સપાટીને $3\lambda_1$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_1}{6}$ થાય છે. પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$331 \text{ nm}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે, જેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.2 \text{ V}$ છે. પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $\alpha \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. ($h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s}$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ અને $c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$) ($.68$ માં)

જ્યારે $4.0 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુ $A$ ની સપાટી પર અથડાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{A} \; eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{A}$ છે. $4.50 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_{B} = (T_{A} - 1.5) \; eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{B} = 2 \lambda_{A}$ હોય,તો ધાતુ $B$ નું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

$4.0 \ eV$ નું વર્ક ફંકશન ધરાવતી ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $nm$ માં કેટલી થાય?

$\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટો-સેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ગતિઊર્જા વધારીને $2E$ કરવી હોય,તો તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda'$ કરવી પડે,જ્યાં

$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.0 \ W/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થની સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $1\%$ ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે,તો સપાટીના $1.0 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?