જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.

સિલિકોન (સાપેક્ષ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $\varepsilon_r = 12$) માં ડોપન્ટ તરીકે કામ કરતા ફોસ્ફરસ (પરમાણુ ક્રમાંક $Z = 15$) ના પાંચમા ઇલેક્ટ્રોનની બોહર ત્રિજ્યા ....... $\mathring{A}$ છે.

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

અંતર્ગત અર્ધવાહક વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ તટસ્થ હોય છે. તો બહિર્ગત અર્ધવાહક વિદ્યુતની દ્રષ્ટિએ કેવો હોય છે?

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,જર્મેનિયમમાં શેની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?