સિલિકોન (સાપેક્ષ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $\varepsilon_r = 12$) માં ડોપન્ટ તરીકે કામ કરતા ફોસ્ફરસ (પરમાણુ ક્રમાંક $Z = 15$) ના પાંચમા ઇલેક્ટ્રોનની બોહર ત્રિજ્યા ....... $\mathring{A}$ છે.

જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યા હોય,તો:

જો $N_h$ અને $N_e$ એ બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને વાહક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા હોય,તો:

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા એ $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ સાંદ્રતા જેટલી જ છે. દરેક પર બાહ્ય વિદ્યુતક્ષેત્ર લાગુ કરવામાં આવે છે. તેમની વચ્ચેના પ્રવાહની તુલના કરો.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

એક શુદ્ધ અર્ધવાહકની અવરોધકતા $0.5 \ \Omega m$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.39 \ m^2 / V-s$ અને $0.19 \ m^2 / V-s$ હોય,તો આંતરિક કેરિયર સાંદ્રતાની ગણતરી કરો.