જો $N_h$ અને $N_e$ એ બાહ્ય (extrinsic) અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને વાહક ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા હોય,તો:

શુદ્ધ સિલિકોનના નમૂનામાં $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે. જો બધા જ ડોનર પરમાણુઓ સક્રિય હોય,તો $20 ^oC$ તાપમાને અવરોધકતા (resistivity) કેટલી હશે? જો ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ હોય. ($\Omega \cdot \text{cm}$ માં)

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \text{ meV}$ પર છે. હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી હશે?

સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે નીચેનામાંથી શું ઉમેરવાથી $n-$પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બને છે?

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $n-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?