जब $300 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जक पर पड़ता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन बस मुक्त होते हैं। एक अन्य उत्सर्जक के लिए,$600 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश फोटोइलेक्ट्रॉन को मुक्त करने के लिए पर्याप्त है। दोनों उत्सर्जकों के कार्य फलन (work function) का अनुपात क्या है?

एक प्रकाश-विद्युत प्रयोग में,संग्राहक प्लेट (collector plate) तांबे $(\phi = 4.5\,eV)$ से बनी उत्सर्जक प्लेट (emitter plate) के सापेक्ष $2.0\,V$ पर है। उत्सर्जक को $200\,nm$ तरंगदैर्ध्य वाले एकवर्णी प्रकाश के स्रोत द्वारा प्रकाशित किया जाता है।

$6561 \; \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य वाला विकिरण $p$ एक धातु की सतह पर गिरकर फोटोइलेक्ट्रॉन उत्पन्न करता है। इलेक्ट्रॉनों को $3 \times 10^{-4} \; T$ के एकसमान चुंबकीय क्षेत्र में प्रवेश कराया जाता है। यदि इलेक्ट्रॉनों द्वारा अनुसरण किए गए सबसे बड़े वृत्ताकार पथ की त्रिज्या $10 \; mm$ है,तो धातु का कार्य फलन (work function) ............... $eV$ के करीब है।

दो समान फोटोकैथोड $v_1$ और $v_2$ आवृत्ति का प्रकाश प्राप्त करते हैं। यदि बाहर निकलने वाले फोटोइलेक्ट्रॉन (द्रव्यमान $m$) के वेग क्रमशः $v_1$ और $v_2$ हैं,तो:

एक निश्चित धातु के लिए, जब $\lambda$ तरंगदैर्ध्य का एकवर्णी प्रकाश आपतित होता है, तो फोटोइलेक्ट्रॉन के लिए निरोधी विभव (stopping potential) $3V_0$ है। जब उसी धातु पर $2\lambda$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश डाला जाता है, तो निरोधी विभव $V_0$ हो जाता है। दी गई धातु के लिए फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जन की देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) $\alpha\lambda$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

जब प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $50 \, cm$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज $V_0$ पाया जाता है। यदि उसी स्रोत को सेल से $1 \, m$ की दूरी पर रखा जाए,तो कट-ऑफ वोल्टेज होगा