જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ શેને સમજવા માટે ઉપયોગી છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

ધારો કે $K_{1}$ અને $K_{2}$ એ બે મોનોક્રોમેટિક કિરણો જેની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ છે,તેને ધાતુની સપાટી પર આપાત કરતા ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા છે. જો $\lambda_{1} = 3 \lambda_{2}$ હોય,તો:

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V/3$ છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $6 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન સપાટી પર પડે છે ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $4 eV$ છે. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?