निम्नलिखित में से किस इलेक्ट्रॉनिक विन्यास का | vedclass

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Question

(D) $I.P.$ (आयनन विभव) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के स्थायित्व और परिरक्षण प्रभाव पर निर्भर करता है।दिए गए विन्यासों की तुलना करने पर:$A$: $3p^6$ (अक्रिय गै

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$1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^1$

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(D) $I.P.$ (आयनन विभव) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के स्थायित्व और परिरक्षण प्रभाव पर निर्भर करता है।दिए गए विन्यासों की तुलना करने पर:$A$: $3p^6$ (अक्रिय गैस,बहुत स्थिर,उच्च $I.P.$)$B$: $3p^5$ (उच्च प्रभावी नाभिकीय आवेश के कारण उच्च $I.P.$)$C$: $3s^2$ (पूर्ण भरा हुआ $s$-कक्षक,स्थिर,उच्च $I.P.$)$D$: $3s^2 3p^1$ (इलेक्ट्रॉन $3p$ कक्षक से निकाला जा रहा है,जो $3s^2$ इलेक्ट्रॉनों द्वारा परिरक्षित है और $3s$ कक्षक की तुलना में नाभिक से अधिक दूर है)।अतः,$1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^1$ विन्यास का $I.P.$ मान सबसे कम है।

निम्नलिखित में से किस इलेक्ट्रॉनिक विन्यास का $I.P.$ मान सबसे कम होगा?

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$Na$,$Mg$,$Si$,$P$,$Cl$ और $Ar$ तत्वों की प्रथम आयनन विभव $(IP)$ क्रमशः $5.14$,$7.65$,$8.15$,$10.49$,$12.97$ और $15.76 \ eV$ है। $K$ का $IP$ ($eV$ में) किसके सबसे निकट है?

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